FM6L52020L备选型号: SSM3J46CTB(TPL3)
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 已出版
- 系列
- 最大功率耗散
- 配置
- 功率耗散
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 20V 2.2A MINI6-F112 Weeks表面贴装表面贴装6-SMD, Flat Leads6SILICON2.2A Ta1.3V @ 1mA125°C TJTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)6EAR99DUAL未说明未说明1Single增强型MOSFET5 nsN-ChannelSWITCHING105m Ω @ 1A, 4V280pF @ 10V8ns±10V18 ns2.2A10V20Vunknown符合RoHS标准---------
- MOSFET P-CH 20V 2A CST3B12 Weeks表面贴装表面贴装3-SMD, No Lead3-11V @ 1mA150°C TJTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)-------增强型MOSFET-P-Channel-103m Ω @ 1.5A, 4.5V290pF @ 10V-±8V-2A8V--符合RoHS标准2009U-MOSVI1WSingle1W4.7nC @ 4.5V20V2A无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SSM3J46CTB(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 3-SMD, No Lead | MOSFET P-CH 20V 2A CST3B | 对比 | |
| MCH3481-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 3-SMD, Flat Lead | MOSFET N-CH 20V 2A MCPH3 | 对比 | |
| TT8U2TR | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SMD, Flat Lead | MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8 | 对比 |



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