FMG2G300US60E备选型号: APTGT75A60T1G

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  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
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  • 电压 - 额定直流
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  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
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  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • NTC热敏电阻
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 输入电容
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值(toff)
  • IGBT类型
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • VCEsat-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    Trans IGBT Module N-CH 600V 300A 7-Pin PM-HA
    Chassis Mount, Panel
    底座安装
    7PM-HA
    7
    600V
    2.1V
    -40°C~150°C TJ
    Box
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    600V
    892W
    300A
    半桥
    Dual
    892W
    Standard
    600V
    300A
    250μA
    2.7V @ 15V, 300A
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    IGBT MODULE 600V 100A 250W SP1
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP1
    12
    600V
    1.5V
    -40°C~175°C TJ
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    250W
    -
    半桥
    Dual
    -
    Standard
    600V
    100A
    250μA
    1.9V @ 15V, 75A
    符合RoHS标准
    无铅
    IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)
    36 Weeks
    SILICON
    2007
    e1
    yes
    12
    EAR99
    锡银铜
    UPPER
    THROUGH-HOLE
    未说明
    未说明
    12
    不合格
    ISOLATED
    110 ns
    250W
    MOTOR CONTROL
    N-CHANNEL
    4.62nF
    170 ns
    310 ns
    沟渠现场停车
    20V
    4.62nF @ 25V
    1.9 V
    11.5mm
    51.6mm
    40.8mm
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