FMP26-02P备选型号: IRFI4229PBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 极性/通道类型
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- JEDEC-95代码
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- MOSFET PHASE LEG MOSFET MOD H-BRIDGE -200V -17A通孔通孔i4-Pac™-55SILICON26A 17A-55°C~150°C TJTubePolar™2011e1yesObsolete1 (Unlimited)5EAR99锡银铜AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED125WSINGLE未说明未说明5不合格SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET125WISOLATEDN and P-ChannelSWITCHING60m Ω @ 25A, 10V5V @ 250μA2720pF @ 25V70nC @ 10VN-CHANNEL AND P-CHANNEL17A20V26A0.06Ohm200V120A1000 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandardROHS3 Compliant------------
- MOSFET N-CH 250V 19A TO-220FP通孔通孔TO-220-33SILICON19A Tc-40°C~150°C TJTubeHEXFET®2008e3-活跃1 (Unlimited)3EAR99镍外哑光锡---26040---增强型MOSFET46WISOLATEDN-ChannelSWITCHING46m Ω @ 11A, 10V-4480pF @ 25V110nC @ 10V-19A30V-0.046Ohm250V72A110 mJ--ROHS3 Compliant12 Weeks5V @ 250μASingle18 ns17ns±30V13 nsTO-220AB9.8mm10.63mm4.83mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPI530N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 150V 21A TO262-3 | 对比 |





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