IXYS FMP26-02P

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

i4-Pac™-5

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

26A 17A

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

Polar™

已出版

2011

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

附加功能

AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED

最大功率耗散

125W

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

5

资历状况

不合格

配置

SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

125W

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

60m Ω @ 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2720pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

70nC @ 10V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

17A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

26A

漏极-源极导通最大电阻

0.06Ohm

漏源击穿电压

200V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

120A

雪崩能量等级（Eas）

1000 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

ROHS3 Compliant