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首页 全部分类 FP30R06W1E3BOMA1 vs APTGT75A60T1G

FP30R06W1E3BOMA1备选型号: APTGT75A60T1G

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  • 安装类型
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  • Collector-Emitter Saturation Voltage
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  • 终止次数
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 配置
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 输入电容
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • VCEsat-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    FP30R06W1E3BOMA1
    Infineon Technologies
    IGBT MODULE 600V 37A 115W
    16 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    23
    SILICON
    600V
    1.55V
    -40°C~150°C
    2002
    no
    活跃
    不适用
    23
    EAR99
    115W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    23
    三相逆变器
    ISOLATED
    115W
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    37A
    1mA
    42 ns
    2V @ 15V, 30A
    245 ns
    沟渠现场停车
    有
    1.65nF @ 25V
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APTGT75A60T1G
    Microsemi Corporation
    IGBT MODULE 600V 100A 250W SP1
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP1
    12
    SILICON
    600V
    1.5V
    -40°C~175°C TJ
    2007
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    12
    EAR99
    250W
    UPPER
    THROUGH-HOLE
    12
    半桥
    ISOLATED
    250W
    MOTOR CONTROL
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    100A
    250μA
    170 ns
    1.9V @ 15V, 75A
    310 ns
    沟渠现场停车
    有
    4.62nF @ 25V
    -
    -
    符合RoHS标准
    IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)
    e1
    锡银铜
    未说明
    未说明
    不合格
    Dual
    110 ns
    4.62nF
    20V
    1.9 V
    11.5mm
    51.6mm
    40.8mm
    无铅
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