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FP50R06W2E3B11BOMA1备选型号: APTGF50DH60T1G

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  • 接通时间
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  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
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  • 输入电容(Cies)@Vce
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 输入电容
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • VCEsat-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    FP50R06W2E3B11BOMA1
    Infineon Technologies
    IGBT MODULE 600V 65A 175W
    16 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    23
    SILICON
    65A
    -40°C~150°C
    2002
    活跃
    不适用
    23
    EAR99
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    三相逆变器
    ISOLATED
    175W
    电源控制
    不含卤素
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    65A
    1mA
    45 ns
    1.9V @ 15V, 50A
    355 ns
    沟渠现场停车
    有
    3.1nF @ 25V
    符合RoHS标准
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APTGF50DH60T1G
    Microsemi Corporation
    IGBT MODULE 600V 65A 250W SP1
    -
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP1
    12
    -
    600V
    -
    2012
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    9
    -
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    不对称桥
    ISOLATED
    -
    电源控制
    -
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    65A
    250μA
    52 ns
    2.45V @ 15V, 50A
    151 ns
    NPT
    有
    2.2nF @ 25V
    符合RoHS标准
    -
    2.1V
    150°C
    -40°C
    250W
    12
    R-XUFM-X9
    不合格
    Dual
    2.2nF
    20V
    2.45 V
    11.5mm
    51.6mm
    40.8mm
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