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首页 全部分类 FP50R07N2E4B11BOSA1 vs APTGF50DH120T3G

FP50R07N2E4B11BOSA1备选型号: APTGF50DH120T3G

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  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
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  • 无铅
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  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 输入电容
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • VCEsat-最大值
  • Infineon Technologies
    FP50R07N2E4B11BOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MODULE 650V 70A
    42 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    31
    SILICON
    70A
    -40°C~150°C
    Bulk
    2002
    活跃
    不适用
    31
    EAR99
    UL认证
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    三相逆变器
    ISOLATED
    电源控制
    不含卤素
    N-CHANNEL
    Standard
    650V
    70A
    1mA
    43 ns
    1.95V @ 15V, 50A
    265 ns
    沟渠现场停车
    有
    3.1nF @ 25V
    符合RoHS标准
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APTGF50DH120T3G
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 70A 16-Pin Case SP-3
    -
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP3
    16
    -
    1.2kV
    -
    -
    2012
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    11
    EAR99
    -
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    不对称桥
    ISOLATED
    电源控制
    -
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    70A
    250μA
    100 ns
    3.7V @ 15V, 50A
    400 ns
    NPT
    有
    3.45nF @ 25V
    符合RoHS标准
    -
    150°C
    -40°C
    312W
    25
    R-XUFM-X11
    不合格
    Dual
    1200V
    3.45nF
    20V
    3.7 V
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APTGF50DH120T3G APTGF50DH120T3G Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 SP3 Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 70A 16-Pin Case SP-3 对比