Infineon Technologies FP50R07N2E4B11BOSA1
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FP50R07N2E4B11BOSA1
1211-FP50R07N2E4B11BOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
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IGBT MODULE 650V 70A
--最小包装量--
FP50R07N2E4B11BOSA1详情
Infineon Technologies FP50R07N2E4B11BOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
42 Weeks
底架
Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
引脚数
31
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
70A
Number of Elements
7
操作温度
-40°C~150°C
包装
Bulk
已出版
2002
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
不适用
终止次数
31
ECCN 代码
EAR99
附加功能
UL认证
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
配置
三相逆变器
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
电源控制
无卤素
不含卤素
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
650V
最大集电极电流
70A
最大集极截止电流
1mA
接通时间
43 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.95V @ 15V, 50A
关断时间-标准值(toff)
265 ns
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
3.1nF @ 25V
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
含铅
FP50R07N2E4B11BOSA1拓展信息
Infineon Technologies
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