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FP75R07N2E4B11BOSA1备选型号: APTGT50A170T1G

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  • NTC热敏电阻
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  • 无铅
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  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 功率 - 最大
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 输入电容
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    FP75R07N2E4B11BOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MODULE VCES 600V 75A
    12 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    31
    SILICON
    75A
    -40°C~150°C
    Bulk
    2002
    活跃
    不适用
    31
    EAR99
    UL认证
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    三相逆变器
    ISOLATED
    电源控制
    不含卤素
    N-CHANNEL
    Standard
    650V
    75A
    1mA
    45 ns
    1.95V @ 15V, 75A
    320 ns
    沟渠现场停车
    有
    4.6nF @ 25V
    符合RoHS标准
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APTGT50A170T1G
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Module N-CH 1.7KV 75A 12-Pin Case SP-1
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP1
    1
    SILICON
    2
    -40°C~150°C TJ
    -
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    12
    EAR99
    -
    UPPER
    THROUGH-HOLE
    -
    -
    半桥
    ISOLATED
    MOTOR CONTROL
    -
    N-CHANNEL
    Standard
    2.4V
    75A
    250μA
    450 ns
    2.4V @ 15V, 50A
    1100 ns
    沟渠现场停车
    有
    4.4nF @ 25V
    符合RoHS标准
    -
    e1
    yes
    锡银铜
    312W
    12
    Dual
    312W
    1700V
    4.4nF
    20V
    无
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