您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 FP75R07N2E4B11BOSA1 vs FS50R12KE3BOSA1

FP75R07N2E4B11BOSA1备选型号: FS50R12KE3BOSA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 极性/通道类型
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 无铅代码
  • 最大功率耗散
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 功率耗散
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    FP75R07N2E4B11BOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MODULE VCES 600V 75A
    12 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    31
    SILICON
    75A
    -40°C~150°C
    Bulk
    2002
    活跃
    不适用
    31
    EAR99
    UL认证
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    三相逆变器
    ISOLATED
    电源控制
    不含卤素
    N-CHANNEL
    Standard
    650V
    75A
    1mA
    45 ns
    1.95V @ 15V, 75A
    320 ns
    沟渠现场停车
    有
    4.6nF @ 25V
    符合RoHS标准
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    FS50R12KE3BOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MOD 1200V 75A 270W
    16 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    28
    SILICON
    1.2kV
    150°C TJ
    -
    2002
    活跃
    1 (Unlimited)
    28
    EAR99
    -
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    三相逆变器
    ISOLATED
    -
    不含卤素
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    75A
    5mA
    140 ns
    2.15V @ 15V, 50A
    610 ns
    NPT
    有
    3.5nF @ 25V
    ROHS3 Compliant
    含铅
    1.7V
    no
    270W
    28
    不合格
    270W
    1200V
    17mm
    107.5mm
    45mm
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
APTGT50A170T1G APTGT50A170T1G Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 SP1 Trans IGBT Module N-CH 1.7KV 75A 12-Pin Case SP-1 对比
APTGT50SK170T1G APTGT50SK170T1G Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 SP1 Trans IGBT Module N-CH 1.7KV 75A 12-Pin Case SP-1 对比
FS50R12KE3BOSA1 FS50R12KE3BOSA1 Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 Module IGBT MOD 1200V 75A 270W 对比