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首页 全部分类 FP75R12KE3BOSA1 vs APTGT50DDA120T3G

FP75R12KE3BOSA1备选型号: APTGT50DDA120T3G

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  • 最大集电极电流
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  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
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  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 元素配置
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 输入电容
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    FP75R12KE3BOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MOD 1200V 105A 355W
    12 Weeks
    Tin
    Screw
    底座安装
    Module
    24
    SILICON
    1.2kV
    2.15V
    -40°C~125°C TJ
    2002
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    35
    EAR99
    350W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    35
    R-XUFM-X35
    NPN
    Single
    350W
    ISOLATED
    355W
    75A
    Standard
    1.2kV
    105A
    5mA
    1200V
    330 ns
    2.2V @ 15V, 75A
    610 ns
    NPT
    无
    5.3nF @ 25V
    17mm
    122mm
    62mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APTGT50DDA120T3G
    Microsemi Corporation
    POWER MOD IGBT TRENCH BOOST SP3
    36 Weeks
    -
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP3
    32
    SILICON
    1.2kV
    -
    -40°C~175°C TJ
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    25
    EAR99
    270W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    25
    R-XUFM-X25
    -
    双升压斩波器
    -
    ISOLATED
    270W
    -
    Standard
    1.2kV
    75A
    250μA
    1200V
    140 ns
    2.1V @ 15V, 50A
    610 ns
    沟渠现场停车
    有
    3.6nF @ 25V
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    e1
    锡银铜
    雪崩 额定
    Dual
    电源控制
    N-CHANNEL
    3.6nF
    无
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