FP75R12KE3BOSA1备选型号: FS75R12W2T4BOMA1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 极性
- 配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 正向电流
- 输入
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最大集极截止电流
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- NTC热敏电阻
- 输入电容(Cies)@Vce
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 晶体管应用
- 无卤素
- 极性/通道类型
- 无铅
- IGBT MOD 1200V 105A 355W12 WeeksTinScrew底座安装Module24SILICON1.2kV2.15V-40°C~125°C TJ2002no活跃1 (Unlimited)35EAR99350WUPPERUNSPECIFIED35R-XUFM-X35NPNSingle350WISOLATED355W75AStandard1.2kV105A5mA1200V330 ns2.2V @ 15V, 75A610 nsNPT无5.3nF @ 25V17mm122mm62mm无SVHCROHS3 Compliant-------
- MOD IGBT LOW PWR EASY2B-116 Weeks-Screw底座安装Module18SILICON1.2kV2.15V-40°C~150°C2002no活跃1 (Unlimited)15EAR99375WUPPERUNSPECIFIED33R-XUFM-X15-全桥375WISOLATED--Standard1.2kV107A1mA1200V185 ns2.15V @ 15V, 75A490 ns沟渠现场停车有4.3nF @ 25V---无SVHCROHS3 Compliant未说明未说明不合格电源控制不含卤素N-CHANNEL含铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FS75R12W2T4BOMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 模块 | Module | MOD IGBT LOW PWR EASY2B-1 | 对比 |
![]() | APTGT50DDA120T3G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 模块 | SP3 | POWER MOD IGBT TRENCH BOOST SP3 | 对比 |





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