FP75R12KT4B15BOSA1备选型号: FMG2G75US60
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- 型号:
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 输入
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集极截止电流
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- NTC热敏电阻
- 输入电容(Cies)@Vce
- RoHS状态
- 包装
- 终端
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 元素配置
- 上升时间
- 最大集电极电流
- 孔直径
- 输入电容
- 达到SVHC
- 无铅
- IGBT MOD 1200V 75A 385W12 WeeksScrew底座安装Module34SILICON2.15V75A-40°C~150°C2014活跃不适用35EAR99UL 认证UPPERUNSPECIFIED未说明未说明R-XUFM-X35三相逆变器385WISOLATED电源控制N-CHANNELStandard1.2kV1mA1200V210 ns2.15V @ 15V, 75A620 ns沟渠现场停车有4.3nF @ 25V符合RoHS标准------------
- IGBT MODULE 600V 75A 310W 7PMGA-Chassis Mount, Screw底座安装7PM-GA7-2.2V600V-40°C~150°C TJ-Obsolete1 (Unlimited)--------半桥310W---Standard600V250μA--2.8V @ 15V, 75A--无7.056nF @ 30V符合RoHS标准BulkScrew600V310W75ADual40ns75A5.4 mm7.056nF无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FP75R12KE3BOSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 模块 | Module | IGBT MOD 1200V 105A 355W | 对比 |
| FMG2G75US60 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 模块 | 7PM-GA | IGBT MODULE 600V 75A 310W 7PMGA | 对比 |




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