FP75R12KT4B15BOSA1备选型号: FP75R12KE3BOSA1
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 输入
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集极截止电流
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- NTC热敏电阻
- 输入电容(Cies)@Vce
- RoHS状态
- 触点镀层
- 无铅代码
- 最大功率耗散
- 引脚数量
- 极性
- 功率 - 最大
- 正向电流
- 最大集电极电流
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- IGBT MOD 1200V 75A 385W12 WeeksScrew底座安装Module34SILICON2.15V75A-40°C~150°C2014活跃不适用35EAR99UL 认证UPPERUNSPECIFIED未说明未说明R-XUFM-X35三相逆变器385WISOLATED电源控制N-CHANNELStandard1.2kV1mA1200V210 ns2.15V @ 15V, 75A620 ns沟渠现场停车有4.3nF @ 25V符合RoHS标准------------
- IGBT MOD 1200V 105A 355W12 WeeksScrew底座安装Module24SILICON2.15V1.2kV-40°C~125°C TJ2002活跃1 (Unlimited)35EAR99-UPPERUNSPECIFIED--R-XUFM-X35Single350WISOLATED--Standard1.2kV5mA1200V330 ns2.2V @ 15V, 75A610 nsNPT无5.3nF @ 25VROHS3 CompliantTinno350W35NPN355W75A105A17mm122mm62mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FP75R12KE3BOSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 模块 | Module | IGBT MOD 1200V 105A 355W | 对比 |
| FMG2G75US60 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 模块 | 7PM-GA | IGBT MODULE 600V 75A 310W 7PMGA | 对比 |




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