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FQB10N20CTM备选型号: STB5NK50ZT4
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- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 无铅
- 基本部件号
- 接通延迟时间
- 阈值电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3D2PAK (TO-263AB)9.5A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)QFET®2003Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C200V9.5ASingle72WN-Channel360mOhm @ 4.75A, 10V4V @ 250μA510pF @ 25V26nC @ 10V92ns200V±30V72 ns9.5A30V200V510pF290mOhm360 mΩ符合RoHS标准无铅--------
MOSFET N-Ch 500 Volt 4.4Amp表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3D2PAK4.4A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)SuperMESH™-Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C500V4.4ASingle70WN-Channel1.5Ohm @ 2.2A, 10V4.5V @ 50μA535pF @ 25V28nC @ 10V10ns500V±30V15 ns4.4A30V500V535pF1.5Ohm1.5 ΩROHS3 Compliant无铅STB5N15 ns3.75V4.6mm10.75mm10.4mm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STB4NK60ZT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH | 对比 |
| FQB7P20TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET 200V P-Channel QFET | 对比 |
 | IRF630NSTRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK | 对比 |
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