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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.727304
10
¥4.459722
100
¥4.207285
500
¥3.969135
1000
¥3.744467
STMicroelectronics STB5NK50ZT4
- 收藏
- 对比
STB5NK50ZT4
2381-STB5NK50ZT4
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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MOSFET N-Ch 500 Volt 4.4Amp
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STB5NK50ZT4详情
STMicroelectronics STB5NK50ZT4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
供应商器件包装
D2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4.4A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
70W Tc
Turn Off Delay Time
32 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
SuperMESH™
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
500V
额定电流
4.4A
基本部件号
STB5N
元素配置
Single
功率耗散
70W
接通延迟时间
15 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.5Ohm @ 2.2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 50μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
535pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
28nC @ 10V
上升时间
10ns
漏源电压 (Vdss)
500V
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
15 ns
连续放电电流(ID)
4.4A
阈值电压
3.75V
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
500V
输入电容
535pF
漏源电阻
1.5Ohm
最大rds
1.5 Ω
高度
4.6mm
长度
10.75mm
宽度
10.4mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STB5NK50ZT4拓展信息
STMicroelectronics
STMicroelectronics
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