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FQB11N40TM备选型号: FDB14N30TM
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- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 质量
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 400V 11.4A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB2D2PAK (TO-263AB)11.4A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2001Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C400V11.4ASingle3.13WN-Channel480mOhm @ 5.7A, 10V5V @ 250μA1400pF @ 25V35nC @ 10V100ns400V±30V60 ns11.4A30V400V1.4nF380mOhm480 mΩ符合RoHS标准无铅------------------------------- MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB2-14A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-活跃1 (Unlimited)----Single140WN-Channel290m Ω @ 7A, 10V5V @ 250μA1060pF @ 25V25nC @ 10V105ns-±30V75 ns14A30V300V---ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)4 WeeksTin1.31247gSILICONUniFET™e3yes2SMD/SMTEAR99290MOhm鸥翼未说明not_compliant未说明不合格增强型MOSFETDRAIN20 nsSWITCHING5V56A300V330 mJ5 V4.83mm10.67mm11.33mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FQB11N40CTM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | N-Channel 400 V 0.5 Ohm Surface Mount Mosfet - D2PAK-3 | 对比 |
| FQB1P50TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET 500V P-Channel QFET | 对比 |
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