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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥6.643602
10
¥6.267547
100
¥5.912781
500
¥5.578094
1000
¥5.262355
ON Semiconductor FQB11N40TM
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- 对比
FQB11N40TM
1807-FQB11N40TM
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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MOSFET N-CH 400V 11.4A D2PAK
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FQB11N40TM详情
ON Semiconductor FQB11N40TM重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
2
供应商器件包装
D2PAK (TO-263AB)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
11.4A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
3.13W Ta 147W Tc
Turn Off Delay Time
60 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2001
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
400V
额定电流
11.4A
元素配置
Single
功率耗散
3.13W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
480mOhm @ 5.7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1400pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
35nC @ 10V
上升时间
100ns
漏源电压 (Vdss)
400V
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
60 ns
连续放电电流(ID)
11.4A
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
400V
输入电容
1.4nF
漏源电阻
380mOhm
最大rds
480 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FQB11N40TM拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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