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FQB11N40TM备选型号: FQB11N40CTM
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- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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- Vgs（最大值）
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- 漏源击穿电压
- 输入电容
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- 生命周期状态
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- 终端形式
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- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 400V 11.4A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB2D2PAK (TO-263AB)11.4A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2001Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C400V11.4ASingle3.13WN-Channel480mOhm @ 5.7A, 10V5V @ 250μA1400pF @ 25V35nC @ 10V100ns400V±30V60 ns11.4A30V400V1.4nF380mOhm480 mΩ符合RoHS标准无铅------------------ N-Channel 400 V 0.5 Ohm Surface Mount Mosfet - D2PAK-3表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-10.5A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-活跃1 (Unlimited)--400V10.5ASingle135WN-Channel530m Ω @ 5.25A, 10V4V @ 250μA1090pF @ 25V35nC @ 10V89ns-±30V81 ns10.5A30V400V---ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 14 hours ago)8 Weeks1.31247gSILICONQFET®yes2EAR99快速切换鸥翼R-PSSO-G2增强型MOSFETDRAIN14 nsSWITCHING42A无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FQB11N40CTM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | N-Channel 400 V 0.5 Ohm Surface Mount Mosfet - D2PAK-3 | 对比 |
| FQB1P50TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET 500V P-Channel QFET | 对比 |
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