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首页 全部分类 FQB2P25TM vs FQB9N25TM

FQB2P25TM备选型号: FQB9N25TM

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FQB2P25TM
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 250V 2.3A D2PAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    D2PAK (TO-263AB)
    2.3A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    2000
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    -250V
    -2.3A
    Single
    3.13W
    8.5 ns
    P-Channel
    4Ohm @ 1.15A, 10V
    5V @ 250μA
    250pF @ 25V
    8.5nC @ 10V
    40ns
    250V
    ±30V
    25 ns
    2.3A
    30V
    -250V
    250pF
    3.15Ohm
    4 Ω
    无
    符合RoHS标准
    无铅
  • ON Semiconductor
    FQB9N25TM
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 250V 9.4A D2PAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    D2PAK (TO-263AB)
    9.4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    2006
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    250V
    9.4A
    Single
    3.13W
    -
    N-Channel
    420mOhm @ 4.7A, 10V
    5V @ 250μA
    700pF @ 25V
    20nC @ 10V
    105ns
    250V
    ±30V
    45 ns
    9.4A
    30V
    250V
    700pF
    420mOhm
    420 mΩ
    -
    符合RoHS标准
    无铅
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FQB9N25TM FQB9N25TM ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 250V 9.4A D2PAK 对比