ON Semiconductor FQB9N25TM

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件包装

D2PAK (TO-263AB)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9.4A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

3.13W Ta 90W Tc

Turn Off Delay Time

25 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

QFET®

已出版

2006

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

250V

额定电流

9.4A

元素配置

Single

功率耗散

3.13W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

420mOhm @ 4.7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

700pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20nC @ 10V

上升时间

105ns

漏源电压 (Vdss)

250V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

45 ns

连续放电电流(ID)

9.4A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

250V

输入电容

700pF

漏源电阻

420mOhm

最大rds

420 mΩ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅