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FQB5N50CTM备选型号: STB5NK50ZT4
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- 晶体管元件材料
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 基本部件号
- 漏源电压 (Vdss)
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 辐射硬化
MOSFET 500V N-Channel Adv Q-FET C-SeriesACTIVE (Last Updated: 1 day ago)4 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB31.31247gSILICON5A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)QFET®2003e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)快速切换500V鸥翼未说明not_compliant5A未说明R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET73WDRAIN12 nsN-ChannelSWITCHING1.4 Ω @ 2.5A, 10V4V @ 250μA625pF @ 25V24nC @ 10V46ns±30V48 ns5A4V30V5A500V20A4.83mm10.67mm9.65mm无SVHCROHS3 Compliant无铅---------
MOSFET N-Ch 500 Volt 4.4Amp--表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3--4.4A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)SuperMESH™---Obsolete1 (Unlimited)----500V---4.4A---Single-70W-15 nsN-Channel-1.5Ohm @ 2.2A, 10V4.5V @ 50μA535pF @ 25V28nC @ 10V10ns±30V15 ns4.4A3.75V30V-500V-4.6mm10.75mm10.4mm无SVHCROHS3 Compliant无铅D2PAK150°C-55°CSTB5N500V535pF1.5Ohm1.5 Ω无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STB5NK50ZT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-Ch 500 Volt 4.4Amp | 对比 |
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