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首页 全部分类 FQD3N50CTM vs IPD50R1K4CEAUMA1

FQD3N50CTM备选型号: IPD50R1K4CEAUMA1

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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • Reach合规守则
  • 漏源电压 (Vdss)
  • ON Semiconductor
    FQD3N50CTM
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    2.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    2015
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    Single
    35W
    10 ns
    N-Channel
    2.5 Ω @ 1.25A, 10V
    4V @ 250μA
    365pF @ 25V
    13nC @ 10V
    25ns
    ±30V
    25 ns
    2.5A
    30V
    500V
    2.3mm
    6.6mm
    6.1mm
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD50R1K4CEAUMA1
    Infineon Technologies
    On a Reel of 2500, N-Channel MOSFET, 3.1 A, 550 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD50R1K4CEBTMA1
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    3.1A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ CE
    2008
    活跃
    3 (168 Hours)
    Single
    25W
    6.5 ns
    N-Channel
    1.4 Ω @ 900mA, 13V
    3.5V @ 70μA
    178pF @ 100V
    8.2nC @ 10V
    6ns
    ±20V
    30 ns
    3.1A
    30V
    550V
    2.41mm
    6.73mm
    6.22mm
    ROHS3 Compliant
    18 Weeks
    e3
    yes
    EAR99
    Tin (Sn)
    not_compliant
    500V
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
SPD03N50C3ATMA1 SPD03N50C3ATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans MOSFET N-CH 500V 3.2A 3-Pin(2 Tab) TO-252 对比