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首页 全部分类 FQD3N60CTM-WS vs FQD4N50TM

FQD3N60CTM-WS备选型号: FQD4N50TM

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 辐射硬化
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  • 无铅
  • 已出版
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    FQD3N60CTM-WS
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    11 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    2.4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    Tin (Sn)
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    50W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.4 Ω @ 1.2A, 10V
    4V @ 250μA
    565pF @ 25V
    14nC @ 10V
    30ns
    600V
    ±30V
    35 ns
    2.4A
    TO-252AA
    30V
    9.6A
    600V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQD4N50TM
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    -
    2.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    2.5W
    -
    12 ns
    N-Channel
    -
    2.7 Ω @ 1.3A, 10V
    5V @ 250μA
    460pF @ 25V
    13nC @ 10V
    45ns
    -
    ±30V
    30 ns
    2.6A
    -
    30V
    -
    -
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    2000
    2.7Ohm
    500V
    2.6A
    500V
    2.3mm
    6.6mm
    6.1mm
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