FQD3N60CTM-WS备选型号: STD3LN62K3
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 基本部件号
- 引脚数量
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAKACTIVE (Last Updated: 1 day ago)11 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633260.37mgSILICON2.4A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)QFET®e3yes活跃1 (Unlimited)2Tin (Sn)鸥翼R-PSSO-G2Single增强型MOSFET50WDRAIN12 nsN-ChannelSWITCHING3.4 Ω @ 1.2A, 10V4V @ 250μA565pF @ 25V14nC @ 10V30ns600V±30V35 ns2.4ATO-252AA30V9.6A600V无ROHS3 Compliant无铅------------
- Trans MOSFET N-CH 620V 2.5A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/RNRND (Last Updated: 7 months ago)-表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633-SILICON2.5A Tc150°C TJTape & Reel (TR)SuperMESH3™--活跃1 (Unlimited)2-鸥翼R-PSSO-G2Single增强型MOSFET45W-9 nsN-ChannelSWITCHING3 Ω @ 1.25A, 10V4.5V @ 50μA386pF @ 50V17nC @ 10V7ns-±30V27 ns2.5A-30V10A-无ROHS3 Compliant无铅EAR993OhmULTRA-LOW RESISTANCESTD3L33.75V620V90 mJ2.4mm6.6mm6.2mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STD4NK50ZT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R | 对比 |
![]() | FQD4N50TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK | 对比 |
![]() | STD3LN62K3 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 620V 2.5A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R | 对比 |





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