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首页 全部分类 FQD3P50TM vs FQD4N50TM

FQD3P50TM备选型号: FQD4N50TM

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  • 终端形式
  • 额定电流
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  • 元素配置
  • 电流
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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • ON Semiconductor
    FQD3P50TM
    ON Semiconductor
    In a Pack of 10, FQD3P50TM P-Channel MOSFET, 1.33 A, 500 V QFET, 3-Pin DPAK ON Semiconductor
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    2.1A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    2000
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    4.9Ohm
    Tin (Sn)
    -500V
    鸥翼
    -2.1A
    R-PSSO-G2
    1
    400V
    Single
    18A
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    12 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    4.9 Ω @ 1.05A, 10V
    5V @ 250μA
    660pF @ 25V
    23nC @ 10V
    56ns
    500V
    ±30V
    45 ns
    -2.1A
    -5V
    30V
    -500V
    250 mJ
    150°C
    2.517mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • ON Semiconductor
    FQD4N50TM
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    2.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    2000
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    2.7Ohm
    -
    500V
    -
    2.6A
    -
    -
    -
    Single
    -
    -
    2.5W
    -
    12 ns
    N-Channel
    -
    2.7 Ω @ 1.3A, 10V
    5V @ 250μA
    460pF @ 25V
    13nC @ 10V
    45ns
    -
    ±30V
    30 ns
    2.6A
    -
    30V
    500V
    -
    -
    2.3mm
    6.6mm
    6.1mm
    -
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    260.37mg
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