FQD5N15TF备选型号: IPD50R800CEATMA1

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  • 供应商器件包装
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 最大rds
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    260.37mg
    4.3A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    2000
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150V
    4A
    Single
    2.5W
    N-Channel
    800m Ω @ 2.15A, 10V
    4V @ 250μA
    230pF @ 25V
    7nC @ 10V
    45ns
    ±25V
    25 ns
    4.3A
    25V
    150V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 500(Min)V 5A 3-Pin TO-252 T/R
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ CE
    2012
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    800mOhm @ 1.5A, 13V
    3.5V @ 130μA
    280pF @ 100V
    12.4nC @ 10V
    5.5ns
    ±20V
    15.9 ns
    5A
    20V
    -
    符合RoHS标准
    -
    3
    PG-TO252-3
    150°C
    -55°C
    6.2 ns
    500V
    280pF
    800 mΩ
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