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首页 全部分类 FQD5N15TM vs FQD5N15TF

FQD5N15TM备选型号: FQD5N15TF

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  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • ON Semiconductor
    FQD5N15TM
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 150V 4.3A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    4.3A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    150V
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    4A
    未说明
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    800m Ω @ 2.15A, 10V
    4V @ 250μA
    230pF @ 25V
    7nC @ 10V
    45ns
    ±25V
    25 ns
    4.3A
    25V
    0.8Ohm
    150V
    17.2A
    55 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • ON Semiconductor
    FQD5N15TF
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    260.37mg
    -
    4.3A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    150V
    -
    -
    -
    4A
    -
    -
    -
    Single
    -
    2.5W
    -
    -
    N-Channel
    -
    800m Ω @ 2.15A, 10V
    4V @ 250μA
    230pF @ 25V
    7nC @ 10V
    45ns
    ±25V
    25 ns
    4.3A
    25V
    -
    150V
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    2000
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