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首页 全部分类 FQD5N15TM vs IPD50R800CEATMA1

FQD5N15TM备选型号: IPD50R800CEATMA1

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  • 上升时间
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 已出版
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 最大rds
  • ON Semiconductor
    FQD5N15TM
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 150V 4.3A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    4.3A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    150V
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    4A
    未说明
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    800m Ω @ 2.15A, 10V
    4V @ 250μA
    230pF @ 25V
    7nC @ 10V
    45ns
    ±25V
    25 ns
    4.3A
    25V
    0.8Ohm
    150V
    17.2A
    55 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD50R800CEATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 500(Min)V 5A 3-Pin TO-252 T/R
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    -
    5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ CE
    -
    -
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    6.2 ns
    N-Channel
    -
    800mOhm @ 1.5A, 13V
    3.5V @ 130μA
    280pF @ 100V
    12.4nC @ 10V
    5.5ns
    ±20V
    15.9 ns
    5A
    20V
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    PG-TO252-3
    2012
    150°C
    -55°C
    500V
    280pF
    800 mΩ
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IPD50R800CEATMA1 IPD50R800CEATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans MOSFET N-CH 500(Min)V 5A 3-Pin TO-252 T/R 对比