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首页 全部分类 FQD5N60CTM-WS vs IPD60R2K1CEAUMA1

FQD5N60CTM-WS备选型号: IPD60R2K1CEAUMA1

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  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FQD5N60CTM-WS
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 2.8A
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    2.8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    2.5 Ω @ 1.4A, 10V
    4V @ 250μA
    670pF @ 25V
    19nC @ 10V
    600V
    ±30V
    2.8A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
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  • Infineon Technologies
    IPD60R2K1CEAUMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V 2.3A TO-252-3
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    2.3A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ CE
    活跃
    3 (168 Hours)
    N-Channel
    2.1 Ω @ 760mA, 10V
    3.5V @ 60μA
    140pF @ 100V
    6.7nC @ 10V
    -
    ±20V
    2.3A
    ROHS3 Compliant
    18 Weeks
    SILICON
    2008
    e3
    yes
    2
    Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    无卤素
    600V
    6A
    11 mJ
    含铅
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IRFR812PBF IRFR812PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK 对比
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