Infineon Technologies IRFR812PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.6A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

78W Tc

Turn Off Delay Time

24 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2004

JESD-609代码

e3

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

Reach合规守则

not_compliant

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

78W

接通延迟时间

14 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.2 Ω @ 2.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

810pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20nC @ 10V

上升时间

22ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

17 ns

连续放电电流(ID)

3.6A

阈值电压

3V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

500V

恢复时间

110 ns

高度

2.39mm

长度

6.73mm

宽度

6.22mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant