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首页 全部分类 FQD5N60CTM-WS vs IRFR812TRPBF

FQD5N60CTM-WS备选型号: IRFR812TRPBF

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  • 已出版
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  • 终止次数
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FQD5N60CTM-WS
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 2.8A
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    2.8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    2.5 Ω @ 1.4A, 10V
    4V @ 250μA
    670pF @ 25V
    19nC @ 10V
    600V
    ±30V
    2.8A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFR812TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    2.2 Ω @ 2.2A, 10V
    5V @ 250μA
    810pF @ 25V
    20nC @ 10V
    -
    ±20V
    3.6A
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    3
    SILICON
    2004
    e3
    2
    2.2Ohm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    SINGLE
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    78W
    DRAIN
    14 ns
    SWITCHING
    22ns
    17 ns
    TO-252AA
    20V
    500V
    无
    无铅
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IRFR812TRPBF IRFR812TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK 对比
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