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FQI7N80TU备选型号: FQI8N60CTU

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  • 额定电流
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  • JESD-30代码
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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FQI7N80TU
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    5 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    2.084g
    SILICON
    6.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    800V
    未说明
    not_compliant
    6.6A
    未说明
    R-PSIP-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    3.13W
    35 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.5 Ω @ 3.3A, 10V
    5V @ 250μA
    1850pF @ 25V
    52nC @ 10V
    80ns
    ±30V
    55 ns
    6.6A
    30V
    800V
    26.4A
    580 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • ON Semiconductor
    FQI8N60CTU
    ON Semiconductor
    MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    2.084g
    SILICON
    7.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    600V
    -
    -
    8A
    -
    R-PSIP-T3
    -
    Single
    增强型MOSFET
    3.13W
    16.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.2 Ω @ 3.75A, 10V
    4V @ 250μA
    1255pF @ 25V
    36nC @ 10V
    60.5ns
    ±30V
    64.5 ns
    7.5A
    30V
    600V
    30A
    230 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    无
  • 添加型号
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