注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥7.906204
10
¥7.458684
100
¥7.036493
500
¥6.638201
1000
¥6.262455
STMicroelectronics STFI7N80K5
- 收藏
- 对比
STFI7N80K5
2381-STFI7N80K5
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-262-3 Full Pack, I2Pak
大陆
立即发货

STMicroelectronics STFI7N80K5 N-channel MOSFET Transistor, 6 A, 800 V, 3-Pin I2PAKFP
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STFI7N80K5详情
STMicroelectronics STFI7N80K5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-262-3 Full Pack, I2Pak
引脚数
3
质量
2.240009g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
25W Tc
Turn Off Delay Time
23.7 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
SuperMESH5™
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STFI7
通道数量
1
元素配置
Single
接通延迟时间
11.3 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.2 Ω @ 3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
360pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
13.4nC @ 10V
上升时间
8.3ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
20.2 ns
连续放电电流(ID)
6A
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
800V
高度
10.85mm
长度
10.4mm
宽度
4.6mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STFI7N80K5拓展信息
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics








哦! 它是空的。