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首页 全部分类 FQP10N60C vs FQP12N60C

FQP10N60C备选型号: FQP12N60C

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  • 元素配置
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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • ON Semiconductor
    FQP10N60C
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 9.5A TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    9.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    2007
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    730mOhm
    600V
    9.5A
    Single
    增强型MOSFET
    156W
    23 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    730m Ω @ 4.75A, 10V
    4V @ 250μA
    2040pF @ 25V
    57nC @ 10V
    69ns
    ±30V
    77 ns
    9.5A
    4V
    TO-220AB
    30V
    600V
    600V
    700 mJ
    4 V
    8.79mm
    10.36mm
    4.67mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQP12N60C
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    12A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    -
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    650mOhm
    600V
    12A
    Single
    增强型MOSFET
    225W
    30 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    650m Ω @ 6A, 10V
    4V @ 250μA
    2290pF @ 25V
    63nC @ 10V
    85ns
    ±30V
    90 ns
    12A
    4V
    TO-220AB
    30V
    600V
    600V
    870 mJ
    4 V
    9.4mm
    10.1mm
    4.7mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
    6 Weeks
    e3
    EAR99
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    不合格
    48A
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FQP12N60C FQP12N60C ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 12A TO-220 对比