ON Semiconductor FQP10N60C

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

156W Tc

Turn Off Delay Time

144 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

QFET®

已出版

2007

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

通孔

电阻

730mOhm

电压 - 额定直流

600V

额定电流

9.5A

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

156W

接通延迟时间

23 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

730m Ω @ 4.75A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2040pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

57nC @ 10V

上升时间

69ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

77 ns

连续放电电流(ID)

9.5A

阈值电压

4V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

600V

双电源电压

600V

雪崩能量等级（Eas）

700 mJ

栅源电压

4 V

高度

8.79mm

长度

10.36mm

宽度

4.67mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅