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首页 全部分类 FQP34N20 vs FDP33N25

FQP34N20备选型号: FDP33N25

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  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
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  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 电阻
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • ON Semiconductor
    FQP34N20
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 200V 31A TO-220
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    5 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    31A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    2000
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    200V
    31A
    Single
    增强型MOSFET
    180W
    40 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    75m Ω @ 15.5A, 10V
    5V @ 250μA
    3100pF @ 25V
    78nC @ 10V
    280ns
    ±30V
    115 ns
    31A
    5V
    TO-220AB
    30V
    0.075Ohm
    200V
    640 mJ
    5 V
    9.4mm
    10.1mm
    4.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP33N25
    ON Semiconductor
    MOSFET 250V N-Channel MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    6 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    33A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    UniFET™
    2004
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    250V
    33A
    Single
    增强型MOSFET
    235W
    35 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    94m Ω @ 16.5A, 10V
    5V @ 250μA
    2135pF @ 25V
    48nC @ 10V
    230ns
    ±30V
    120 ns
    33A
    5V
    TO-220AB
    30V
    -
    250V
    -
    -
    9.4mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    94MOhm
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    不合格
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