Infineon Technologies IRFB33N15DPBF

工厂交货时间

14 Weeks

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

23 ns

Power Dissipation (Max)

3.8W Ta 170W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

33A Tc

系列

HEXFET®

已出版

2000

包装

Tube

操作温度

-55°C~175°C TJ

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

56Ohm

电压 - 额定直流

150V

额定电流

33A

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3.8W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

13 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

56m Ω @ 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2020pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

90nC @ 10V

上升时间

38ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

21 ns

连续放电电流(ID)

33A

阈值电压

5.5V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

150V

双电源电压

150V

栅源电压

5.5 V

宽度

4.69mm

长度

10.5156mm

高度

15.24mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

无SVHC

无铅

Contains Lead, Lead Free