FQP44N08备选型号: FDP55N06

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  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 供应商器件包装
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 80V 44A TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    TO-220-3
    44A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    QFET®
    2000
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    80V
    44A
    Single
    127W
    N-Channel
    34mOhm @ 22A, 10V
    4V @ 250μA
    1430pF @ 25V
    50nC @ 10V
    170ns
    80V
    ±25V
    75 ns
    44A
    25V
    80V
    1.43nF
    34mOhm
    34 mΩ
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET SINGLE N-CH 150V ULTRAFET TRENCH
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    55A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    UniFET™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    Single
    114W
    N-Channel
    22m Ω @ 27.5A, 10V
    4V @ 250μA
    1510pF @ 25V
    37nC @ 10V
    130ns
    -
    ±25V
    95 ns
    55A
    25V
    60V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    5 Weeks
    3
    1.8g
    SILICON
    e3
    yes
    3
    EAR99
    22mOhm
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    不合格
    增强型MOSFET
    30 ns
    SWITCHING
    2V
    TO-220AB
    220A
    480 mJ
    无SVHC
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