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首页 全部分类 FQP65N06 vs HUF75333P3

FQP65N06备选型号: HUF75333P3

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  • 额定电流
  • 元素配置
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • ON Semiconductor
    FQP65N06
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 65A TO-220
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    5 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    65A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    QFET®
    2001
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    16mOhm
    Tin (Sn)
    60V
    65A
    Single
    增强型MOSFET
    150W
    20 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    16m Ω @ 32.5A, 10V
    4V @ 250μA
    2410pF @ 25V
    65nC @ 10V
    160ns
    ±25V
    105 ns
    65A
    TO-220AB
    25V
    60V
    260A
    60V
    650 mJ
    4 V
    9.4mm
    10.1mm
    4.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    HUF75333P3
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 55V 60A TO-220AB
    -
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    -
    66A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    UltraFET™
    2002
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    55V
    60A
    Single
    -
    150W
    -
    N-Channel
    -
    16mOhm @ 66A, 10V
    4V @ 250μA
    1300pF @ 25V
    85nC @ 20V
    55ns
    ±20V
    25 ns
    66A
    -
    20V
    55V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    TO-220-3
    175°C
    -55°C
    55V
    4V
    1.3nF
    16mOhm
    16 mΩ
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