ON Semiconductor HUF75333P3

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

供应商器件包装

TO-220-3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

66A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

150W Tc

Turn Off Delay Time

11 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

UltraFET™

已出版

2002

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

55V

额定电流

60A

元素配置

Single

功率耗散

150W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

16mOhm @ 66A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1300pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

85nC @ 20V

上升时间

55ns

漏源电压 (Vdss)

55V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

25 ns

连续放电电流(ID)

66A

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

55V

输入电容

1.3nF

漏源电阻

16mOhm

最大rds

16 mΩ

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅