FQP6N50备选型号: FDPF7N50F

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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 无铅代码
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 5.5A TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    TO-220-3
    5.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    2000
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    500V
    5.5A
    Single
    98W
    N-Channel
    1.3Ohm @ 2.8A, 10V
    5V @ 250μA
    790pF @ 25V
    22nC @ 10V
    65ns
    500V
    ±30V
    45 ns
    5.5A
    30V
    500V
    790pF
    1.3Ohm
    1.3 Ω
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 6A TO-220F
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    -
    6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    UniFET™
    2007
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    Single
    38.5W
    N-Channel
    1.15 Ω @ 3A, 10V
    5V @ 250μA
    960pF @ 25V
    20nC @ 10V
    30ns
    -
    ±30V
    20 ns
    6A
    30V
    500V
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    2.27g
    yes
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