FQP6N50备选型号: NDF06N62ZG

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  • 电压 - 额定直流
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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 引脚数量
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 5.5A TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    TO-220-3
    5.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    2000
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    500V
    5.5A
    Single
    98W
    N-Channel
    1.3Ohm @ 2.8A, 10V
    5V @ 250μA
    790pF @ 25V
    22nC @ 10V
    65ns
    500V
    ±30V
    45 ns
    5.5A
    30V
    500V
    790pF
    1.3Ohm
    1.3 Ω
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET Single N-Ch 620V 3.8A
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    -
    6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    Single
    31W
    N-Channel
    1.2 Ω @ 3A, 10V
    4.5V @ 100μA
    923pF @ 25V
    32nC @ 10V
    19ns
    -
    ±30V
    28 ns
    6A
    30V
    620V
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
    SILICON
    e3
    yes
    3
    EAR99
    1.2Ohm
    Tin (Sn)
    3
    增强型MOSFET
    DRAIN
    13 ns
    SWITCHING
    TO-220AB
    6A
    20A
    16.12mm
    10.63mm
    4.9mm
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