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首页 全部分类 FQP6N70 vs FQP8N60C

FQP6N70备选型号: FQP8N60C

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • 已出版
  • 终端
  • 电阻
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    FQP6N70
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 700V 6.2A TO-220
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago)
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    6.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    700V
    6.2A
    Single
    增强型MOSFET
    142W
    25 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.5 Ω @ 3.1A, 10V
    5V @ 250μA
    1400pF @ 25V
    40nC @ 10V
    70ns
    ±30V
    50 ns
    6.2A
    TO-220AB
    30V
    700V
    24.8A
    600 mJ
    ROHS3 Compliant
    无
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQP8N60C
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    7.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    600V
    7.5A
    Single
    增强型MOSFET
    147W
    16.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.2 Ω @ 3.75A, 10V
    4V @ 250μA
    1255pF @ 25V
    36nC @ 10V
    60.5ns
    ±30V
    64.5 ns
    7.5A
    TO-220AB
    30V
    600V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    无铅
    2004
    通孔
    1.2Ohm
    快速切换
    未说明
    未说明
    不合格
    4V
    600V
    4 V
    9.4mm
    10.1mm
    4.7mm
    无SVHC
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