ON Semiconductor FQP8N60C

生命周期状态

ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

147W Tc

Turn Off Delay Time

81 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

QFET®

已出版

2004

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

通孔

ECCN 代码

EAR99

电阻

1.2Ohm

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

快速切换

电压 - 额定直流

600V

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

7.5A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

147W

接通延迟时间

16.5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.2 Ω @ 3.75A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1255pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

36nC @ 10V

上升时间

60.5ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

64.5 ns

连续放电电流(ID)

7.5A

阈值电压

4V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

600V

双电源电压

600V

栅源电压

4 V

高度

9.4mm

长度

10.1mm

宽度

4.7mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅