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首页 全部分类 FQS4903TF vs STS1DNC45

FQS4903TF备选型号: STS1DNC45

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  • 系列
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  • 无铅代码
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  • 终止次数
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  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    FQS4903TF
    ON Semiconductor
    Trans Mosfet N-ch 500V 0.37A 8-PIN SOIC N T/r
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    5 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    Tin
    8
    230.4mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    500V
    2W
    鸥翼
    370mA
    FQS4903
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    5.5 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    6.2 Ω @ 185mA, 10V
    4V @ 250μA
    200pF @ 25V
    8.2nC @ 10V
    20ns
    45 ns
    370mA
    25V
    0.37A
    500V
    500V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    4 V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STS1DNC45
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 450 Volt 0.4 A
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -
    8
    -
    SILICON
    2
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SuperMESH™
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    450V
    1.6W
    鸥翼
    400mA
    STS1D
    -
    增强型MOSFET
    2W
    6.7 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    4.5 Ω @ 500mA, 10V
    3.7V @ 250μA
    160pF @ 25V
    10nC @ 10V
    4ns
    4 ns
    400mA
    30V
    0.4A
    450V
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Matte Tin (Sn) - annealed
    260
    30
    8
    1.6A
    30 mJ
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