STMicroelectronics STS1DNC45

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

工厂交货时间

8 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

SuperMESH™

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

电压 - 额定直流

450V

最大功率耗散

1.6W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

400mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STS1D

引脚数量

8

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

接通延迟时间

6.7 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.5 Ω @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.7V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

160pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10nC @ 10V

上升时间

4ns

下降时间（典型值）

4 ns

连续放电电流(ID)

400mA

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.4A

漏源击穿电压

450V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

1.6A

雪崩能量等级（Eas）

30 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅