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FQU1N60CTU备选型号: SSU1N50BTU
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- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
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- 无铅
- HTS代码
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series4 WeeksACTIVE (Last Updated: 5 days ago)TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA通孔通孔3343.08mgSILICON1A TcQFET®2013Tube-55°C~150°C TJe3yes活跃1 (Unlimited)3EAR9911.5OhmTin (Sn)600V未说明not_compliant1A未说明Single增强型MOSFET2.5W7 nsN-ChannelSWITCHING11.5 Ω @ 500mA, 10V4V @ 250μA170pF @ 25V6.2nC @ 10V21ns±30V27 ns1A4V30V1A600V4A6.1mm6.6mm2.3mmROHS3 Compliant无SVHC无铅---- Trans MOSFET N-CH 520V 1.3A 3-Pin(3 Tab) IPAK Rail-ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 day ago)TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA通孔通孔3343.08mgSILICON1.3A Tc--Tube-55°C~150°C TJe3yes不用于新设计1 (Unlimited)3EAR99-Tin (Sn)-----Single增强型MOSFET2.5W14 nsN-ChannelSWITCHING5.3 Ω @ 650mA, 10V4V @ 250μA340pF @ 25V11nC @ 10V40ns±30V35 ns1.3A-30V-520V5A---ROHS3 Compliant--8541.29.00.95100 mJ无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FQU1N50TU | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 500V 1.1A IPAK | 对比 |
 | STD1NK60-1 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 600V 1A IPAK | 对比 |
| SSU1N50BTU | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | Trans MOSFET N-CH 520V 1.3A 3-Pin(3 Tab) IPAK Rail | 对比 |
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