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FQU1N60CTU备选型号: STD1NK60-1
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- 晶体管元件材料
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- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 达到SVHC
- 无铅
- 触点镀层
- 基本部件号
- 引脚数量
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series4 WeeksACTIVE (Last Updated: 5 days ago)TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA通孔通孔3343.08mgSILICON1A TcQFET®2013Tube-55°C~150°C TJe3yes活跃1 (Unlimited)3EAR9911.5OhmTin (Sn)600V未说明not_compliant1A未说明Single增强型MOSFET2.5W7 nsN-ChannelSWITCHING11.5 Ω @ 500mA, 10V4V @ 250μA170pF @ 25V6.2nC @ 10V21ns±30V27 ns1A4V30V1A600V4A6.1mm6.6mm2.3mmROHS3 Compliant无SVHC无铅-----
MOSFET N-CH 600V 1A IPAK12 WeeksACTIVE (Last Updated: 8 months ago)TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA通孔Surface Mount, Through Hole3-SILICON1A TcSuperMESH™-Tube-55°C~150°C TJe3-活跃1 (Unlimited)3EAR99---260--30Single增强型MOSFET30W6.5 nsN-ChannelSWITCHING8.5 Ω @ 500mA, 10V3.7V @ 250μA156pF @ 25V10nC @ 10V5ns±30V25 ns1A3V30V1A600V4A2.4mm6.6mm6.2mmROHS3 Compliant无SVHC无铅TinSTD1NK325 mJ无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FQU1N50TU | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 500V 1.1A IPAK | 对比 |
| STD1NK60-1 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 600V 1A IPAK | 对比 |
| SSU1N50BTU | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | Trans MOSFET N-CH 520V 1.3A 3-Pin(3 Tab) IPAK Rail | 对比 |
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