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FQU2N90TU-AM002备选型号: FQU2N100TU
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- 场效应管类型
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- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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- 下降时间（典型值）
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- 晶体管元件材料
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- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 操作模式
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 无铅
MOSFET 900V 1.6A 7.8Ohm N-ChannelACTIVE (Last Updated: 1 week ago)8 Weeks通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3343.08mg1.7A Tc-55°C~150°C TJTubeQFET®e3yes活跃1 (Unlimited)Tin (Sn)Single15 nsN-Channel7.2 Ω @ 850mA, 10V5V @ 250μA500pF @ 25V15nC @ 10V35ns900V±30V30 ns1.7A30V无ROHS3 Compliant------------------ MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAKACTIVE (Last Updated: 5 days ago)7 Weeks通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3343.08mg1.6A Tc-55°C~150°C TJTubeQFET®e3yes活跃1 (Unlimited)-Single13 nsN-Channel9 Ω @ 800mA, 10V5V @ 250μA520pF @ 25V15.5nC @ 10V30ns1000V±30V35 ns1.6A30V无ROHS3 CompliantTinSILICON20133EAR991kV1.6A增强型MOSFET2.5WSWITCHING9Ohm1kV6.4A7.57mm6.8mm2.5mm无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FQU2N100TU | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK | 对比 |
 | STD2NK90Z-1 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | Transistor: unipolar, N-MOSFET; 900V; 2.1A; IPAK | 对比 |
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